JANTX1N4150-1

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 2598
说明：: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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JANTX1N4150-1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-35
封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 nA @ 50 V
反向恢复时间 (trr)：4 ns
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 200 mA
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：50 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Military, MIL-PRF-19500/231
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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