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IXTX600N04T2

厂家：
  Ixys
封装：
 PLUS247?-3
数量：
 1818  
说明：
  功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXTX600N04T2-PLUS247?-3图片

IXTX600N04T2 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：TrenchT2 GigaMOS
输出电压：40 V
输出电流：600 A
输出端数量：1
激励器数量：Single
最小工作温度：- 55 C
最大开启延迟时间：40 ns
最大关闭延迟时间：90 ns
包装形式：Tube
封装形式：PLUS-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
电源电流：200 A
下降时间：250 ns
上升时间：20 ns
类型：TrenchT2 GigaMOS
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTX600N04T2的详细信息，包括IXTX600N04T2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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