IXTN5N250

厂家：: IXYS
封装：: SOT-227B
数量：: 6930
说明：: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

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IXTN5N250 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：700W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8560 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：200 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.8 欧姆 @ 2.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc）
漏源电压（Vdss）：2500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：IXYS

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