IXTD1R4N60P 11

厂家：: IXYS
封装：: 模具
数量：: 2772
说明：: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE

一、本商品被浏览0次.

IXTD1R4N60P 11 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：140 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 700mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：PolarHV?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTD1R4N60P 11的详细信息，包括IXTD1R4N60P 11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：