IXTA6N100D2-TRL

厂家：: IXYS
封装：: TO-263（D2Pak）
数量：: 8064
说明：: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：耗尽模式
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2650 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：95 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，0V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tj）
漏源电压（Vdss）：1000 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Depletion
系列：卷带（TR）
品牌：IXYS

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