IXFP4N100PM

厂家：: IXYS
封装：: TO-220 隔离的标片
数量：: 7020
说明：: MOSFET N-CH 1000V 2.1A TO220

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IXFP4N100PM PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1456 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.3 欧姆 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1000 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：HiPerFET?, Polar
系列：管件
品牌：IXYS

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