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IXFN64N50PD3

厂家：: IXYS
封装：: SOT-227B
数量：: 1566
说明：: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：625W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：186 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 32A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
漏源电压（Vdss）：500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：PolarHV?
系列：管件
品牌：IXYS

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