IXFN320N17T2

厂家:
  Ixys
封装:
 SOT-227B
数量:
 4968  
说明:
  功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXFN320N17T2 PDF参数资料

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中文参数如下:

商标名:TrenchT2 GigaMOS
输出电压:170 V
输出电流:260 A
输出端数量:1
激励器数量:Single
最小工作温度:- 55 C
最大开启延迟时间:46 ns
最大关闭延迟时间:115 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOT-227B
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
最大功率耗散:1070 W
电源电流:100 A
下降时间:230 ns
上升时间:170 ns
类型:GigaMOS Trench T2 HiperFet
产品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN320N17T2的详细信息,包括IXFN320N17T2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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