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IXFK52N100X

厂家：
  IXYS
封装：
 TO-264
数量：
 6588  
说明：
 MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
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IXFK52N100X PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6725 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：245 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 4mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 26A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1000 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：HiPerFET?, Ultra X
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXFK52N100X的详细信息，包括IXFK52N100X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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