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IXFH50N30Q3

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-247-3
数量：
 9046  
说明：
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
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IXFH50N30Q3-TO-247-3图片

IXFH50N30Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：250 ns
功率耗散：690 W
栅极电荷 Qg：65 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFH50N30Q3的详细信息，包括IXFH50N30Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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