IXFA4N100Q-TRL

厂家：: IXYS
封装：: TO-263AA（IXFA）
数量：: 6687
说明：: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1050 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1000 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：HiPerFET?, Q Class
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：IXYS

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