ISL9N306AS3ST

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 8271  
说明:
 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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ISL9N306AS3ST-TO-263AB图片

ISL9N306AS3ST PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:34 ns, 62 ns
工厂包装数量:800
上升时间:70 ns, 43 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns, 29 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0095 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N306AS3ST的详细信息,包括ISL9N306AS3ST厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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