IRFHM830TR2PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-VQFN 裸露焊盘
数量：: 7164
说明：: MOSFET MOSFT 30V 40A 3.8mOhm

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IRFHM830TR2PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：400
上升时间：25 ns
功率耗散：37 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：15 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：52 S
下降时间：9.2 ns
包装形式：Reel
封装形式：PQFN-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 mOhms at 10 V
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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