IRFBC20STRR

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5355  
说明:
 MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
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IRFBC20STRR PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.4 欧姆 @ 1.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :350pF @ 25V
功率 - 最大:3.1W
安装类型:表面贴装

以上是IRFBC20STRR的详细信息,包括IRFBC20STRR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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