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IRF820PBF-BE3

厂家：
  Vishay Siliconix
封装：
 TO-220AB
数量：
 8217  
说明：
 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
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IRF820PBF-BE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：360 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc）
漏源电压（Vdss）：500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Vishay Siliconix

以上是IRF820PBF-BE3的详细信息，包括IRF820PBF-BE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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