IRF6702M2DTR1P

厂家：: International Rectifier
封装：: Direct-FET MA
数量：: 3483
说明：: MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX

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IRF6702M2DTR1P PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
上升时间：41 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：34 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11.3 mOhms
漏极连续电流：15 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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