IRF6691

厂家：: International Rectifier
封装：: Direct-FET MT
数量：: 3690
说明：: MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

一、本商品被浏览0次.

IRF6691 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：4800
上升时间：95 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：Direct-FET MT
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 m Ohms
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6691的详细信息，包括IRF6691厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：