IRF6668TR1PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DIRECTFET? MZ
数量:
 3510  
说明:
 MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg
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IRF6668TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
上升时间:13 ns
功率耗散:89 W
栅极电荷 Qg:22 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :22 S
下降时间:23 ns
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET MZ
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):12 mOhms
漏极连续电流:55 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6668TR1PBF的详细信息,包括IRF6668TR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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