IRF6668TR1

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 MZ
数量：: 4716
说明：: MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC

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IRF6668TR1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：7.1 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：13 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：23 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MZ
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 m Ohms
漏极连续电流：55 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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