IRF6665TR1PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DIRECTFET? SH
数量:
 3456  
说明:
 MOSFET MOSFT 100V 62mOhm 19A 8.7nC Qg for Aud
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IRF6665TR1PBF-DIRECTFET? SH图片

IRF6665TR1PBF PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:1000
上升时间:2.8 ns
功率耗散:42 W
栅极电荷 Qg:8.7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.6 S
下降时间:4.3 ns
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET SH
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):62 mOhms
漏极连续电流:4.2 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6665TR1PBF的详细信息,包括IRF6665TR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • IRF6678图片

    IRF6678

    MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC

  • 暂无电子元件图

    IRF6691

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC