IRF6644TR1PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DIRECTFET? MN
数量:
 3096  
说明:
 MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg
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IRF6644TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
上升时间:26 ns
功率耗散:89 W
栅极电荷 Qg:35 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :15 S
下降时间:16 ns
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET MN
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.3 mOhms
漏极连续电流:10.3 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6644TR1PBF的详细信息,包括IRF6644TR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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