IRF6643TR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 MZ
数量：: 3042
说明：: MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg

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IRF6643TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
上升时间：5 ns
功率耗散：89 W
栅极电荷 Qg：39 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降时间：4.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MZ
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：29 mOhms
漏极连续电流：6.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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