IPSH9N03LAG

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-251
数量:
 8514  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPSH9N03LAG PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns
上升时间:4 ns
功率耗散:52 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:2.8 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-251
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):16.8 m Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPSH9N03LAG的详细信息,包括IPSH9N03LAG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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