IPS03N03LA G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO251-3-11
数量：: 7317
说明：: MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

一、本商品被浏览0次.

IPS03N03LA G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.4 毫欧 @ 60A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：90A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 70µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5200pF @ 15V
功率 - 最大：115W
安装类型：通孔

以上是IPS03N03LA G的详细信息，包括IPS03N03LA G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：