IPP200N25N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 6864  
说明:
 MOSFET N-channel POWER MOS
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中文参数如下:

零件号别名:IPP200N25N3GXK IPP200N25N3GXKSA1 SP000677894
典型关闭延迟时间:45 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:64 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :122 S, 61 S
下降时间:12 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
漏极连续电流:64 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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