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IPP03N03LB G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO220-3-1
数量：
 5463  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 80A
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IPP03N03LB G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP03N03LBGXK
典型关闭延迟时间：49 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7.4 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0031 Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP03N03LB G的详细信息，包括IPP03N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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