IPP020N06NAKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 2700  
说明:
 MOSFET
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IPP020N06NAKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:51 ns
上升时间:45 ns
功率耗散:214 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:106 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :210 S
下降时间:19 ns
包装形式:Tube
封装形式:PG-TO220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):2 mOhms
漏极连续电流:120 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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