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IPI076N12N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-262-3
数量：
 4882  
说明：
 MOSFET N-Channel 120V MOSFET
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IPI076N12N3 G-TO-262-3图片

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中文参数如下：

零件号别名：IPI076N12N3GAKSA1 IPI076N12N3GXK SP000652738
典型关闭延迟时间：39 nS
工厂包装数量：500
上升时间：50 nS
功率耗散：188 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：76 nC
下降时间：10 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-262-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.6 mOhms at 10 V
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI076N12N3 G的详细信息，包括IPI076N12N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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