IPF09N03LA G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO252-3-23
数量:
 4167  
说明:
 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.6 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1642pF @ 15V
功率 - 最大:63W
安装类型:表面贴装

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