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IPD5N03LAG

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO252-3-11
数量：
 4608  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)25V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2653pF @ 15V
功率 - 最大83W
安装类型表面贴装

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