IPD30N08S222

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 8451
说明：: MOSFET

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IPD30N08S222 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：30 ns
功率耗散：136 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21.5 m Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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