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IPD068P03L3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252-3
数量：
 11065  
说明：
 MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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中文参数如下：

零件号别名：IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988
典型关闭延迟时间：84 nS
上升时间：100 nS
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：68 nC
下降时间：31 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.8 mOhms at - 10 V
漏极连续电流：- 70 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD068P03L3 G的详细信息，包括IPD068P03L3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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