IPD04N03LA G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO252-3-11
数量:
 2952  
说明:
 MOSFET N-CH 25V 50A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPD04N03LA G-PG-TO252-3-11图片

IPD04N03LA G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:44 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:11 ns
功率耗散:115 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :96 S / 48 S
下降时间:6.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.7 m Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD04N03LA G的详细信息,包括IPD04N03LA G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC