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IPC218N04N3X7SA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 模具
数量：: 1539
说明：: MV POWER MOS

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IPC218N04N3X7SA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：OptiMOS? 3
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

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