IHW30N110R3

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-247
数量：: 6865
说明：: IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

一、本商品被浏览0次.

IHW30N110R3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3XK SP000702510
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：333 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：60 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：1.55 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1100 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Infineon

以上是IHW30N110R3的详细信息，包括IHW30N110R3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：

APTGLQ75H65T1G

APTGT50H60RT3G

FS3L25R12W2H3B11BPSA1

MIXA60W1200TED

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

FS25R12KT3BPSA1

DF225R12W2H3FB11BPSA1

APTGT100BB60T3G