IGP20N60H3HK

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-220AB
数量：: 1026
说明：: IGBT 晶体管 Discrete Semiconductor Pr

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IGP20N60H3HK PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
封装形式：TO-220AB
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：170 W
在25 C的连续集电极电流：40 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Infineon

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