IDH12G65C6XKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-2
数量：: 3069
说明：: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-TO220-2
封装/外壳：TO-220-2
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：594pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：40 μA @ 420 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 12 A
电流 - 平均整流 (Io)：27A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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