HUF75823D3

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-251
数量:
 7200  
说明:
 MOSFET
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HUF75823D3-TO-251图片

HUF75823D3 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
上升时间:24 ns
功率耗散:85 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:26 ns
封装形式:TO-251
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.15 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HUF75823D3的详细信息,包括HUF75823D3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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