HS8K11TB

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 HSML3030L10
数量:
 8957  
说明:
 MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
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中文参数如下:

封装封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):500pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.1nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17.9 毫欧 @ 7A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A,11A
漏源电压(Vdss):30V
FET 功能:逻辑电平门
配置:2 N-通道(双)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

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