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HP8S36TB

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 8-HSOP
数量：
 6633  
说明：
 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
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HP8S36TB-8-HSOP图片

HP8S36TB PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：29W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 32A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A，80A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：2 个 N 通道（半桥）
技术：-
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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