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HP8M31TB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-HSOP
数量：: 6625
说明：: HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

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HP8M31TB1 PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：3W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：470pF @ 30V，2300pF @ 30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.3nC @ 10V，38nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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