首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-247-3
数量：: 1458
说明：: IGBT 晶体管 12A 600V UFS N-Ch

一、本商品被浏览0次.

HGTG12N60B3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：150
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：27 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-247-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：104 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：27 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTG12N60B3的详细信息，包括HGTG12N60B3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：