HCT802TXV

厂家：: TT Electronics/Optek Technology
封装：: 6-SMD
数量：: 7128
说明：: MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

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中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)90V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A, 1.1A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 70pF @ 25V
功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装

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