GT52N10T

厂家：: Goford Semiconductor
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 1270
说明：: N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M

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GT52N10T PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-220-3 整包
封装/外壳：TO-220
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：227W
频率 - 开关：-
电流 - 输出：2626 pF @ 50 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：44.5 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：2.5V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：9 毫欧 @ 50A，10V
输出数：-
输出类型：80A
拓扑：100 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

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