GT25G101(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-220
数量：: 1683
说明：: IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A

一、本商品被浏览0次.

GT25G101(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
安装风格：Through Hole
集电极最大连续电流 Ic：25 A
封装形式：TO-220
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：25 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Toshiba

以上是GT25G101(Q)的详细信息，包括GT25G101(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：