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GT20N135SRA,S1E

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 TO-247
数量：
 861  
说明：
 D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A
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GT20N135SRA,S1E PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：300V，40A，39 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：185 nC
输入类型：标准
开关能量：-，700μJ（关）
功率 - 最大值：312 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1350 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT20N135SRA,S1E的详细信息，包括GT20N135SRA,S1E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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