GD10MPS12E

厂家:
  GeneSiC Semiconductor
封装:
 TO-252-2
数量:
 7767  
说明:
 DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TO-252-2
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:367pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr):0 ns
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io):29A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
产品状态:在售
包装:SiC Schottky MPS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:GeneSiC Semiconductor

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