GC11N65T

厂家：: Goford Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 1151
说明：: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

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GC11N65T PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-220-3
封装/外壳：TO-220
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：78W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：901 pF @ 50 V
电压 - 输出（最大值）：±30V
电压 - 输出（最小值/固定）：21 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：4V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V
输出数：10V
输出类型：11A（Tc）
拓扑：650 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

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