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GBU802H

厂家：
  Taiwan Semiconductor Corporation
封装：
 4-ESIP，GBU
数量：
 5823  
说明：
 DIODE BRIDGE 8A 100V GBU
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GBU802H-4-ESIP，GBU图片

GBU802H PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：GBU
封装/外壳：4-ESIP，GBU
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 100 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 8 A
电流 - 平均整流 (Io)：8 A
电压 - 峰值反向（最大值）：100 V
技术：标准
二极管类型：Single Phase
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：管件
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

以上是GBU802H的详细信息，包括GBU802H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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