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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：89W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6275 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：106 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor
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